“三星可能会在即将推出的GALAXYS10高端智能手机系列中引入LPDDR5RAM”
三星Galaxys 10高端智能手机的漏洞目前在互联网上泛滥，集中到了许多领域，看起来就像是第一部带来创新的手机。 一个是可能在所有的s10变体中引入lpddr5 ram。 这条消息由推特客户端max j共享，但他的主张被有名的举报人ice universe驳斥了。
三星已经开发出了业界首款10纳米级8 gb lpddr5 dram，这为过渡到即将到来的5g和人工智能( ai )驱动的移动应用奠定了基础。 三星声称8gb lpddr5的数据速率高达6400mb / s，是目前旗舰移动设备上采用的移动dram芯片( lpddr4x，4266mb / s )的1.5倍。
这家韩国公司补充说，随着传输速率的提高，新的lpddr5每秒可以发送51.2 gb的数据，或约14个全高清视频文件(分别为3.7gb )。 10纳米级lpddr5 dram提供2种带宽-1.1工作电压( v )为6，400 MB /秒，1.05v为5，500 MB /秒。 lpddr5支持ai和机器学习应用程序，同时与uhd兼容，据说适用于世界各地的移动设备。
引进这个ram的消息令人怀疑。 因为有报告称三星将于年开始批量生产零部件。 由于ram满足了近年来主流的具有5g功能的设备的电源诉求，因此这一大规模的快速发展似乎是明年lpddr5 ram对这家韩国企业的合理选择。
传言称，galaxy s10系列手机的板载存储也有可能升级到ufs 3.0。 据说其速度是当前存储模块的两倍，占用了空之间的空间，为其他组件留出了空之间的空间。 一些报告显示，一家企业有可能在2019年推出5g兼容设备，但根据idc的数据，客户将从2019年下半年的某个时候开始用高端智能手机看5g，同时到去年，地区可用性稳步上升。
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